के रासायनिक संशोधननैनो सिलिका
नैनो-SiO2 का रासायनिक संशोधन मुख्य रूप से संशोधक के साथ प्रतिक्रिया करने के लिए नैनो-SiO2 की सतह पर बड़ी संख्या में हाइड्रोक्सिल समूहों का उपयोग करना है, ताकि हाइड्रोक्सिल संख्या को कम किया जा सके, कण की सतह की हाइड्रोफिलिटी और हाइड्रोफोबसिटी को बदल दिया जा सके, और नैनो-एसआईओ 2 के आवेदन दायरे का विस्तार करने के लिए आवश्यक विभिन्न समूहों को पेश किया जा सके।
(1) कपलिंग एजेंट संशोधन विधि
नैनो सिलिका के आम कपलिंग एजेंट संशोधन विधियों में, सिलेन कपलिंग एजेंट सबसे व्यापक रूप से उपयोग किया जाने वाला है, जो सिलिका ऑक्सीजन बॉन्ड बनाने के लिए नैनो सिलिका की सतह पर हाइड्रोक्सिल समूह के साथ अनुबंध कर सकता है।
नैनो सिलिका का रासायनिक संशोधन
नैनो-SiO2 का रासायनिक संशोधन मुख्य रूप से संशोधक के साथ प्रतिक्रिया करने के लिए नैनो-SiO2 की सतह पर बड़ी संख्या में हाइड्रोक्सिल समूहों का उपयोग करना है, ताकि हाइड्रोक्सिल संख्या को कम किया जा सके, कण की सतह की हाइड्रोफिलिटी और हाइड्रोफोबसिटी को बदल दिया जा सके, और नैनो-एसआईओ 2 के आवेदन दायरे का विस्तार करने के लिए आवश्यक विभिन्न समूहों को पेश किया जा सके।
(1) कपलिंग एजेंट संशोधन विधि
नैनो सिलिका के आम कपलिंग एजेंट संशोधन विधियों में, सिलेन कपलिंग एजेंट सबसे व्यापक रूप से उपयोग किया जाने वाला है, जो सिलिका ऑक्सीजन बॉन्ड बनाने के लिए नैनो सिलिका की सतह पर हाइड्रोक्सिल समूह के साथ अनुबंध कर सकता है।
जब कपलिंग एजेंट का उपयोग नैनो सिलिका की सतह को संशोधित करने के लिए किया जाता है, तो नैनो सिलिका के साथ प्रतिक्रिया करने से पहले कपलिंग एजेंट को हाइड्रोलिज्ड करने की आवश्यकता होती है। हालांकि, हाइड्रोलिसेट स्वयं गाढ़ा होगा, जो सिलिका की सतह पर हाइड्रोलिसेट और हाइड्रोक्सिल समूह के बीच प्रतिक्रिया में बाधा डालता है, एक निश्चित सीमा तक, युग्मन दक्षता को कम करता है, और नैनो सिलिका की सतह संशोधन को अधूरा बनाता है।
(2) अल्कोहल एस्टर संशोधन विधि
अल्कोहल एस्टर विधि उच्च तापमान और उच्च दबाव के तहत नैनो सिलिका की सतह पर हाइड्रोक्सिल समूहों के साथ एलिफेटिक अल्कोहल की प्रतिक्रिया से सिलिका सतह की गीली क्षमता को बदलना है।
सिलेन कपलिंग एजेंट विधि की तुलना में, अल्कोहल एस्टर विधि में कम कीमत, आसान संश्लेषण और संरचना नियंत्रण के फायदे हैं। हालांकि, संशोधन प्रभाव शराब की एल्किल चेन लंबाई से प्रभावित होता है, और इसे उच्च तापमान और उच्च दबाव पर किए जाने की आवश्यकता होती है, जिसके लिए उच्च प्रतिक्रिया स्थितियों की आवश्यकता होती है।